一种用于语音识别系统的采样电路
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一种用于语音识别系统的采样电路

引用
本实用新型公开了一种用于语音识别系统的采样电路,包括麦克风阵列、模拟数字转换器、第一低通滤波器、第一耦合单元和差分信号自激抑制单元;第一低通滤波器包括第一电感、第二电感、第四电容和第五电容,第一电感的第一端和第二电感的第一端分别与麦克风阵列连接,第一电感的第二端与第四电容的第一端连接,第四电容的第二端与第五电容的第一端连接,第五电容的第二端与第二电感的第二端连接;第一耦合单元包括第一电容和第二电容,第一电容的第一端和第二电容的第一端分别与模拟数字转换器的输入端连接,第一电容和第二电容的电容值均不小于10μF。本实用新型能够解决现有技术对低频人声不能进行有效采样的问题。

实用新型

CN201922442767.0

2019-12-26

CN211529611U

2020-09-18

G10L15/26(2006.01)

深圳市艾特智能科技有限公司

沈澈;王棋;黄淑芬;黄泽真;翁珏;叶伟文;谢堃

518000 广东省深圳市西乡街道鹤州工业区北六路鸿图工业园二栋二楼

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

何世磊

广东;44

1.一种用于语音识别系统的采样电路,包括麦克风阵列和模拟数字转换器,其特征在于,还包括第一低通滤波器、第一耦合单元和差分信号自激抑制单元; 所述第一低通滤波器包括第一电感、第二电感、第四电容和第五电容,所述第一电感的第一端和所述第二电感的第一端分别与所述麦克风阵列连接,所述第一电感的第二端与所述第四电容的第一端连接,所述第四电容的第二端与所述第五电容的第一端连接,所述第五电容的第二端与所述第二电感的第二端连接; 所述第一耦合单元包括第一电容和第二电容,所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端分别与所述模拟数字转换器的输入端连接,所述第一电容的第二端与所述第一电感的第二端连接,所述第二电容的第二端与所述第二电感的第二端连接,所述第一电容和所述第二电容的电容值均不小于10μF; 所述差分信号自激抑制单元连接在所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端之间。 2.根据权利要求1所述的用于语音识别系统的采样电路,其特征在于,所述第一低通滤波器的截止频率f1满足以下条件式: 其中,lc为所述第二电感的电感值与所述第五电容的电容值之积,或者lc为所述第一电感的电感值与所述第四电容的电容值之积; f1=20kHz。 3.根据权利要求1所述的用于语音识别系统的采样电路,其特征在于,所述第一电容和所述第二电容均采用0603封装的电容。 4.根据权利要求1所述的用于语音识别系统的采样电路,其特征在于,所述差分信号自激抑制单元采用第三电容。 5.根据权利要求1所述的用于语音识别系统的采样电路,其特征在于,所述采样电路还包括音频编译码器、扬声器单元、第二低通滤波器、第二耦合单元; 所述第二低通滤波器包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第十电容和第十一电容,所述第一电阻的第一端分别与所述扬声器单元和所述音频编译码器连接,所述第二电阻的第一端分别与所述扬声器单元和所述音频编译码器连接,所述第一电阻、所述第四电阻、所述第三电阻、所述第二电阻依次串联,所述第一电阻和所述第四电阻的连接点与所述第十电容的第一端连接,所述第二电阻和所述第三电阻的连接点与所述第十一电容的第一端连接,所述第十电容的第二端与所述第十一电容的第二端连接; 所述第二耦合单元包括第七电容、第八电容和第九电容,所述第七电容的第一端和所述第八电容的第一端分别与所述模拟数字转换器的输入端连接,所述第七电容的第二端分别与所述第九电容的第一端和所述第十电容的第一端连接,所述第八电容的第二端分别与所述第九电容的第二端和所述第十一电容的第一端连接。 6.根据权利要求5所述的用于语音识别系统的采样电路,其特征在于,所述音频编译码器与所述模拟数字转换器的输入端通过I2S总线连接。 7.根据权利要求5所述的用于语音识别系统的采样电路,其特征在于,所述第二低通滤波器的截止频率f2满足以下条件式: f2=1/(2πRC); 其中,R为所述第二电阻与所述第三电阻的并联阻值,或所述第一电阻与所述第四电阻的并联阻值,C为所述第十电容或所述第十一电容的电容值; f2=20kHz。
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2020-09-18授权
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