一种NMOS开关管共享限流电阻芯片电路

摘要：

一种NMOS开关管共享限流电阻芯片电路，通过将相邻NMOS管之间的漏端限流电阻与源端限流电阻进行依次交错共享，既能够大大地减少限流电阻数量，又能够保证NMOS管的安全，从而有利于控制NMOS开关管芯片的面积和成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201911064894.X

申请日期：2019-11-04

公开/公告号：CN112787647A

公开/公告日：2021-05-11

主分类号：H03K17/687(2006.01)

申请/专利权人:圣邦微电子(北京)股份有限公司

发明/设计人:孙德臣

主申请人地址:100089 北京市海淀区西三环北路87号13层3-1301

专利代理机构:北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司

代理人:吴小灿

国别省市代码:北京;11

权利要求：

1.一种NMOS开关管共享限流电阻芯片电路，其特征在于，包括栅极均分别连接到内部控制信号端上的若干个NMOS管，所述若干个NMOS管中的相邻NMOS管漏端通过同一个漏端限流电阻连接到开关共高端，所述若干个NMOS管中的相邻NMOS管源端通过同一个源端限流电阻连接到开关共低端，所述若干个NMOS管中的每一个NMOS管衬底均连接到接地端。 2.根据权利要求1所述的NMOS开关管共享限流电阻芯片电路，其特征在于，所述若干个NMOS管中的相邻NMOS管之间共享漏端限流电阻与共享源端限流电阻呈依次交错共享分布。 3.根据权利要求1所述的NMOS开关管共享限流电阻芯片电路，其特征在于，所述若干个NMOS管中的第一NMOS管的源极通过第一源端限流电阻连接到所述开关共低端，所述第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极互连后通过第一漏端限流电阻连接到所述开关共高端，所述第二NMOS管的源极和第三NMOS管的源极互连后通过第二源端限流电阻连接到所述开关共低端，所述第三NMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极互连后通过第二漏端限流电阻连接到所述开关共高端，所述第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极互连后通过第三源端限流电阻连接到所述开关共低端，以此类推，在所述若干个NMOS管中实现共享漏端限流电阻与共享源端限流电阻的依次交错共享。