8-12G宽带低噪声放大器

摘要：

本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，尤其为8‑12G低噪声放大器，由三级放大器构成，放大器采用电流复用供电。第一级放大器选用窄栅宽三极管，第二级放大器采用窄栅宽三极管，第三级放大器采用窄栅宽三极管。与传统结构相比，本结构具有带宽宽、驻波低、增益高、噪声低和工作电流小等优点。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201820606110.6

申请日期：2018-04-26

公开/公告号：CN208063145U

公开/公告日：2018-11-06

主分类号：H03F1/26(2006.01)I

申请/专利权人:合肥芯谷微电子有限公司

发明/设计人:杜倚诚;刘家兵

主申请人地址:230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1楼1001-1002室

专利代理机构:昆明合众智信知识产权事务所 53113

代理人:张玺

国别省市代码:安徽;34

权利要求：

1.8‑12G宽带低噪声放大器，其特征在于：包括三级放大器，每级放大器包括三极管，采用电流复用结构，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源级接去耦电容，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级三极管栅极相连；第二级三极管漏级通过扼流电感接第三级三极管源级；第三级三极管源级接去耦电容，第三级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第二级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第三级三极管栅极相连。