2-4G宽带低噪声放大器

摘要：

本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，尤其为2‑4G宽带低噪声放大器，包含两级放大电路，采用电流复用结构，第二级PHEMT管源极通过扼流电感接第一级PHEMT管漏极，并旁接去耦电容到地，第二级PHEMT管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级PHEMT管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级PHEMT管栅极相连，该电路有效降低了整体电流，第一级采用较大PHEMT管芯，降低频带低端的噪声，第二级采用相同的PHEMT管芯，提高工作带宽内的增益，器件采用单电源供电。本实用新型与传统结构相比，本结构具有带宽宽、驻波低、增益高、噪声低和工作电流小等优点。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201820598485.2

申请日期：2018-04-25

公开/公告号：CN208063148U

公开/公告日：2018-11-06

主分类号：H03F1/42(2006.01)I

申请/专利权人:合肥芯谷微电子有限公司

发明/设计人:汪程飞;刘家兵

主申请人地址:230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1楼1001-1002室

专利代理机构:昆明合众智信知识产权事务所 53113

代理人:张玺

国别省市代码:安徽;34

权利要求：

1.2‑4G宽带低噪声放大器，其特征在于：包含两级放大电路，采用电流复用结构，每级放大电路包括一个三极管，第二级三极管源极通过扼流电感接第一级三极管漏极，并旁接去耦电容到地，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级PHEMT管栅极相连。