SRAM版图的OPC修正方法

摘要：

本发明提供一种针对SRAM版图的OPC修正方法，将SRAM版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域，通过Calibre pxOPC工具对SRAM版图的重复单元截图进行修正，得到SRAM最小重复单元的掩模板图形，使用Calibre Pattern Match工具将SRAM最小重复单元的掩模板图形匹配添加到SRAM版图中间区域，之后对SRAM版图的过渡区域和边界区域进行OPC修正，得到SRAM版图最终的掩模板图层。该方法可以大大缩减OPC运算时间，且保证了SRAM版图中间重复单元区域的掩模板尺寸的一致性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201810768912.1

申请日期：2018-07-13

公开/公告号：CN109031880A

公开/公告日：2018-12-18

主分类号：G03F1/36(2012.01)I

申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

发明/设计人:陈燕鹏;赵璇;于世瑞

主申请人地址:201315 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

专利代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人:焦天雷

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1.一种SRAM版图的OPC修正方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将SRAM版图划分为中间区域、过渡区域和边界区域；中间区域，SRAM版图中重复单元布图的区域；过渡区域，自中间区域边界起向中间区域中心方向延伸预设宽度的区域；边界区域，SRAM版图中去除中间区域和过渡区域剩余的区域；2)对SRAM版图中重复单元截图进行pxOPC修正，获得最小重复单元掩模板；3)将最小重复单元掩模板对应放置在中间区域的各个SRAM版图最小重复单元上形成中间掩模板；4)对过渡区域进行OPC修正获得过渡掩模板；5)对边界区域进行OPC修正获得边界掩模板；6)将中间掩模板、过渡掩模板和边界掩模板拼接形成SRAM版图膜板。