OPC修正方法

摘要：

本发明公开了一种OPC修正方法，包括步骤：步骤一、定义出数据收集的图案和区域；步骤二、采用显影后检查收集显影后各区域对应的图案的大小；步骤三、采用刻蚀后检查收集刻蚀后各区域对应的图案的大小；步骤四、根据步骤二和三收集的数据计算各图案在不同区域的尺寸差并得到图案在各区域中的负载效应；步骤五、根据步骤四的反应了负载效应的各图案在不同区域的尺寸差进行对应图案的OPC修正，通过OPC修正来补偿不同区域的图案的尺寸差。本发明能使光刻刻蚀后不同区域的图案特别是接触孔的尺寸差异变小并都达到目标值范围，能提高工艺窗口范围。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201810234193.5

申请日期：2018-03-21

公开/公告号：CN108490733A

公开/公告日：2018-09-04

主分类号：G03F1/36(2012.01)I

申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司

发明/设计人:李镇全;曾翔旸

主申请人地址:201315 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

专利代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人:郭四华

国别省市代码:上海;31

权利要求：

1.一种OPC修正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、定义出数据收集的图案和区域；步骤二、采用显影后检查收集显影后各区域对应的图案的大小；步骤三、采用刻蚀后检查收集刻蚀后各区域对应的图案的大小；步骤四、根据步骤二和三收集的数据计算各图案在不同区域的尺寸差并得到图案在各区域中的负载效应；步骤五、根据步骤四的反应了负载效应的各图案在不同区域的尺寸差进行对应图案的OPC修正，通过所述OPC修正来补偿不同区域的图案的尺寸差。