一种双侧加热式真空炉

摘要：

本实用新型公开了一种双侧加热式真空炉，包括真空炉炉体，真空炉炉体底部设置有加热结构，所述加热结构包括受热体，所述多层受热体安装有托盘内，所述托盘外侧左右对称设置有多个电加热管；所述受热体为多层受热体；所述托盘为U型托盘；所述托盘外侧左右对称设置有4个电加热管；所述电加热管通过连接件固定在真空炉炉体的侧壁上；本实用新型提供一种双侧加热式真空炉，结构新颖，相较于传统真空炉早期底部加热结构适用于单层受热体，然而对于多层受热体热能传导慢，受热不均匀；本实用新型采用两侧加热，热能更均匀，传导快，效率提升多倍。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201720616320.9

申请日期：2017-05-31

公开/公告号：CN206974155U

公开/公告日：2018-02-06

主分类号：F27B14/04(2006.01)I

申请/专利权人:上海金克半导体设备有限公司

发明/设计人:林茂昌;林志彦;刘文松

主申请人地址:201108 上海市闵行区颛兴路1421弄135号（1栋B区）

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种双侧加热式真空炉，包括真空炉炉体，其特征在于，真空炉炉体底部设置有加热结构，所述加热结构包括多层受热体，所述多层受热体安装有托盘内，所述托盘外侧左右对称设置有多个电加热管，所述托盘为U型托盘，所述电加热管通过连接件固定在真空炉炉体的侧壁上。