一种大尺寸反应烧结碳化硅烧结过程的支撑结构

摘要：

本发明涉及一种大尺寸反应烧结碳化硅烧结过程的支撑结构，属于反应烧结碳化硅制备技术领域。本发明所述支撑结构由上石墨板、下石墨板和位于两石墨板中间的陶瓷球构成，主要是通过置于石墨板沉台内的陶瓷球实现滚动支撑；陶瓷球的滚动可以实现支撑区域位置的变化，而且支撑区域位置变化时只受陶瓷球的滚动摩擦力，由于陶瓷球的滚动摩擦力很小，坯体的热胀冷缩过程几乎不受支撑区域的约束限制，可以实现坯体的自由膨胀与收缩，大大减小烧结过程中坯体的应力，提高制备过程中的成品率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201710860959.6

申请日期：2017-09-21

公开/公告号：CN107764069A

公开/公告日：2018-03-06

主分类号：F27D5/00(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明/设计人:张舸;董斌超;张学军;崔聪聪;曹琪;包建勋

主申请人地址:130033 吉林省长春市东南湖大路3888号

专利代理机构:北京理工大学专利中心 11120

代理人:杨志兵%仇蕾安

国别省市代码:吉林;22

权利要求：

一种大尺寸反应烧结碳化硅烧结过程的支撑结构，其特征在于：所述支撑结构包括上石墨板(5)、下石墨板(2)、等直径的陶瓷球(3)以及易挥发性固体(4)；上石墨板(5)和下石墨板(2)上对称加工有均匀分布的沉台；所述陶瓷球(3)在1500℃的高温下不变形，并且不与石墨以及硅蒸汽发生反应；所述易发挥性固体(4)为在烧结过程的真空条件或/加热条件下可快速挥发或者分解的固体；下石墨板(2)水平放置在坩埚(1)中，陶瓷球(3)置于下石墨板(2)沉台的中心处，陶瓷球(3)与下石墨板(2)沉台之间的空隙用易挥发性固体(4)填充，上石墨板(5)置于陶瓷球(3)上，陶瓷球(3)与上石墨板(5)沉台的中心点相接触；烧结时，将坯体(6)置于上石墨板(5)上。