一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法

摘要：

本发明提供了一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法，应用于制备双栅极的复合结构中，具体包括以下步骤：步骤S1、将经过曝光处理后的复合结构传送至一显影腔中；步骤S2、向复合结构的表面喷洒显影液；步骤S3、控制复合结构以一第一预定转速旋转，使显影液与复合结构表面的刻蚀阻挡层充分接触；步骤S4、控制复合结构以一大于第一预定转速的第二预定转速旋转；步骤S5、向复合结构的表面喷洒清洗溶剂，并维持第二预定转速旋转至一预定时间之后停止旋转。其技术方案的有益效果在于，将溶解之后的刻蚀阻挡层以及残留的显影液从复合结构上去除，可有效的减少残留的刻蚀阻挡层，对最终形成的双栅极结构的品质的影响。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201710824329.3

申请日期：2017-09-13

公开/公告号：CN107479341A

公开/公告日：2017-12-15

主分类号：G03F7/30(2006.01)I

申请/专利权人:武汉新芯集成电路制造有限公司

发明/设计人:黄胜男;贺吉伟;李赟

主申请人地址:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

专利代理机构:上海申新律师事务所 31272

代理人:俞涤炯

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

一种减少刻蚀阻挡层残留的显影方法，应用于制备双栅极的复合结构中，其特征在于，于所述复合结构的顶部覆盖一刻蚀阻挡层并对所述复合结构进行曝光处理，具体包括以下步骤：步骤S1、将经过曝光处理后的所述复合结构传送至一显影腔中；步骤S2、向所述复合结构的表面喷洒显影液；步骤S3、控制所述复合结构以一第一预定转速旋转，使所述显影液与所述复合结构表面的所述刻蚀阻挡层充分接触；步骤S4、控制所述复合结构以一大于所述第一预定转速的第二预定转速旋转；步骤S5、向所述复合结构的表面喷洒清洗溶剂，并维持所述第二预定转速旋转至一预定时间之后停止旋转。