光刻胶图形化方法、半导体结构的制备方法及半导体设备

摘要：

本发明提供一种光刻胶图形化方法、半导体结构的制备方法及半导体设备，光刻胶图形化方法包括如下步骤：1）提供一晶圆衬底，晶圆衬底的表面包括多个芯片区域及位于芯片区域外围的边缘区域；2）于晶圆衬底的上表面形成光刻胶层，光刻胶层包括位于晶圆衬底的芯片区域上的第一部位及位于晶圆衬底的晶圆边缘区域上的第二部位；3）于光刻胶层的第二部位的上表面形成环形阻挡层；4）进行全晶圆曝光，以将光刻胶层的第一部位进行图形化处理。本发明的光刻胶图形化方法可以使得位于晶圆衬底边缘区域的光刻胶层不会被图形化，在后续工艺中，可以有效避免在晶圆衬底的边缘区域产生缺陷。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201710750333.X

申请日期：2017-08-28

公开/公告号：CN107367910A

公开/公告日：2017-11-21

主分类号：G03F7/38(2006.01)I

申请/专利权人:睿力集成电路有限公司

发明/设计人:不公告发明人

主申请人地址:230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室

专利代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人:余明伟

国别省市代码:安徽;34

权利要求：

一种光刻胶图形化方法，其特征在于，所述光刻胶图形化方法包括如下步骤：1)提供一晶圆衬底，所述晶圆衬底的表面包括多个芯片区域及位于所述芯片区域外围的晶圆边缘区域；2)于所述晶圆衬底的上表面形成光刻胶层，所述光刻胶层包括位于所述晶圆衬底的所述芯片区域上的第一部位及位于所述晶圆衬底的所述晶圆边缘区域上的第二部位；3)于所述光刻胶层的所述第二部位的上表面形成环形阻挡层，所述环形阻挡层的开孔显露所述光刻胶层的所述第一部位；4)进行全晶圆曝光，以将所述光刻胶层的所述第一部位进行图形化处理，并在所述环形阻挡层的阻挡下，所述光刻胶层的所述第二部位以无处理图形的方式保留在显影制程之后或防止所述光刻胶层在所述晶圆边缘区域中的图形转置。