一种清洗剂、其制备方法和应用

摘要：

本发明公开了一种清洗剂、其制备方法和应用。所述的清洗剂，其由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：0.5％‑20％的含碘氧化剂、0.5％‑20％的含硼蚀刻剂、1％‑50％的吡咯烷酮类溶剂、1％‑20％的腐蚀抑制剂、0.01％‑5％的不含金属离子的表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为7.5‑13.5；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种。本发明的清洗剂能够在对金属和低k介电材料影响较小的情况下高效率地移除硬掩膜残留物的氮化物，选择性好，具有非常广阔的市场应用前景。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201710613216.9

申请日期：2017-07-25

公开/公告号：CN107357143A

公开/公告日：2017-11-17

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:上海新阳半导体材料股份有限公司

发明/设计人:王溯;蒋闯;冯强强

主申请人地址:201616 上海市松江区思贤路3600号

专利代理机构:上海弼兴律师事务所 31283

代理人:薛琦%袁红

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种清洗剂，其特征在于，其由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：0.5％‑20％的含碘氧化剂、0.5％‑20％的含硼蚀刻剂、1％‑50％的吡咯烷酮类溶剂、1％‑20％的腐蚀抑制剂、0.01％‑5％的不含金属离子的表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为7.5‑13.5；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种。