提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法

摘要：

本发明公开了一种提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法，包括如下步骤：步骤一、测量各种不同的图形周期下，各种不同的局部图形密度对相应的图形周期下的图形关键尺寸的影响，并根据测量结果建立光刻工艺调整规则；步骤二、对已经设计好的产品版图的本层图形进行局部图形密度统计；步骤三、根据本层图形的局部图形密度分布，按照光刻工艺调整规则对本层图形的各图形对应的光罩关键尺寸进行调整。本发明能消除版图中局部图形密度的变化对图形关键尺寸的影响，使各种局部图形密度下的各图形关键尺寸趋于和设计要求相同，提高图形关键尺寸的均匀性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201710530447.3

申请日期：2017-06-30

公开/公告号：CN107121895A

公开/公告日：2017-09-01

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明/设计人:王雷

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

专利代理机构:上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人:郭四华

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种提高光刻工艺中图形关键尺寸的均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、测量各种不同的图形周期下，各种不同的局部图形密度对相应的图形周期下的图形关键尺寸的影响，并根据测量结果建立光刻工艺调整规则；所述光刻工艺调整规则保证光刻工艺完成后各所述图形周期下不同的局部图形密度处的各所述图形关键尺寸趋于和设计要求值相同，消除不同局部图形密度对所述图形关键尺寸的影响；步骤二、对已经设计好的产品版图的本层图形进行局部图形密度统计，得到所述产品版图的本层图形的局部图形密度分布，所述产品版图的本层图形上包括有根据设计需要设置的图形周期，所述图形周期有一种以上；步骤三、根据所述版图的本层图形的局部图形密度分布，按照步骤一所述光刻工艺调整规则对所述产品版图的本层图形中各所述图形对应的光罩关键尺寸进行调整。