一种光刻光学式叠对量测图型结构
本发明提供一种光刻光学式叠对量测图型结构,所述量测图型结构至少包括:由垂直相交的X轴和Y轴隔成的且依次排布的第一象限区、第二象限区、第三象限区、第四象限区;其中,第一象限区和第三象限区中的图型沿第一方向排列,第二象限区和第四象限区中的图型沿第二方向排列;每一个象限区中图型包括前层图型和位于所述前层图型上方的当层图型,所述前层图型和当层图型间隔排列,且每一个象限区中的当层图型和前层图型的图型总根数满足2n+1,n为大于0的整数。利用本发明的叠对量测图型结构可以增加量测的精准度,减少量测误差,再利用本发明的图型结构偏移参数回馈补正下一次制作的当前层图型,从而克服制程中的机台误差等引起的变异。
发明专利
CN201710343152.5
2017-05-16
CN107024841A
2017-08-08
G03F9/00(2006.01)I
睿力集成电路有限公司
不公告发明人
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦526室
上海光华专利事务所 31219
唐棉棉
安徽;34
一种光刻光学式叠对量测图型结构,其特征在于,所述量测图型结构至少包括:由垂直相交的X轴和Y轴隔成的且依次排布的第一象限区、第二象限区、第三象限区、第四象限区;其中,所述第一象限区和所述第三象限区中图型沿第一方向排列,所述第二象限区和所述第四象限区中图型沿第二方向排列;每一个象限区中图型包括前层图型和位于所述前层图型上方的当层图型,所述前层图型和所述当层图型间隔排列,且每一个象限区中的所述当层图型和所述前层图型的图型总根数满足2n+1,n为大于0的整数。