掩模板、薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管

摘要：

本发明公开一种SSM掩模板，用于制作薄膜晶体管，该掩模板包括第一图案和第二图案，第一图案包括两个侧壁和分别连接两个侧壁的第一端的连接部，以使两个侧壁和连接部形成一端开口另一端封闭的图案；第二图案位于第一图案形成的半包围结构中以在第一图案和第二图案之间形成狭缝；第一图案还包括延长部分，延长部分位于连接部的远离侧壁的一侧。本发明还公开一种薄膜晶体管的制造方法，包括形成导电材料层和位于所述导电材料层上方的光刻胶层；形成图案化的光刻胶层，该图案化的光刻胶层包括对应于上述掩模板的第一图案和第二图案；对光刻胶层进行热烘，使延长部分的光刻胶流动至第一图案的底部；利用图案化的光刻胶层形成图案化的导电材料层。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201710321666.0

申请日期：2017-05-09

公开/公告号：CN107132727A

公开/公告日：2017-09-05

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:京东方科技集团股份有限公司%合肥鑫晟光电科技有限公司

发明/设计人:姜涛;宋博韬;韩领;唐新阳

主申请人地址:100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

专利代理机构:北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319

代理人:莎日娜

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成导电材料层和位于所述导电材料层上方的光刻胶层；对光刻胶层进行图案化，形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层包括第一图案和第二图案，所述第一图案包括两个侧壁和分别连接所述两个侧壁的第一端的连接部，以使所述两个侧壁和所述连接部形成一端开口另一端封闭的图案；所述第二图案至少部分地位于所述第一图案内，以在所述第一图案和所述第二图案之间形成狭缝；所述第一图案还包括延长部分，所述延长部分位于所述连接部的远离所述侧壁的一侧；对所述光刻胶层进行热烘，使所述延长部分的光刻胶流动至所述第一图案的底部；利用图案化的光刻胶层形成图案化的导电材料层，所述图案化的导电材料层包括与所述第一图案和所述第二图案对应的图案。