实现更小线宽的光刻工艺

摘要：

本发明公开了一种实现更小线宽的光刻工艺，包括：提供衬底，并在衬底表面沉积氧化硅层和氮化硅层；在氮化硅层表面涂覆光刻胶；利用第一光刻机对所述氧化硅层表面进行曝光并形成曝光图形；刻蚀所述曝光图形，并去除光刻胶；利用第二光刻机的层间对准技术，并根据所需线宽设置套刻精度偏移量；根据该套刻精度偏移量在氧化硅层和氮化硅层表面涂覆光刻胶；对所述曝光图形进行第二次曝光，形成新的曝光图形；刻蚀新的曝光图形，并去除光刻胶；去除衬底上的氧化硅层和氮化硅层，形成多晶硅图形。本发明可以在不使用精度更高光刻机的前提下，可以得到更小线宽的图形，进而降低了生产成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201710190157.9

申请日期：2017-03-27

公开/公告号：CN106933064A

公开/公告日：2017-07-07

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

发明/设计人:张煜;郑海昌;朱骏

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人:智云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，包括：提供衬底，并在衬底表面沉积氧化硅层和氮化硅层；在氮化硅层表面涂覆光刻胶；利用第一光刻机对所述氮化硅层表面进行曝光并形成曝光图形；刻蚀所述曝光图形，并去除光刻胶；利用第二光刻机的层间对准技术，并根据所需线宽设置套刻精度偏移量；根据该套刻精度偏移量在氧化硅层和氮化硅层表面涂覆光刻胶；对所述曝光图形进行第二次曝光，形成新的曝光图形；刻蚀新的曝光图形，并去除光刻胶；去除衬底上的氧化硅层和氮化硅层，形成多晶硅图形。