套刻精度补正的优化方法及系统

摘要：

本发明提供了一种套刻精度补正的优化方法及系统，通过对曝光结构进行套刻测量而得到曝光结构中各层之间的套刻精度包括测量第一层曝光图案与理论曝光图案之间的套刻精度；根据当前层所对准的前层曝光机台区分工具和前层所对准的再前层曝光机台区分工具，来优化设计针对不同工艺的跑货路径，并根据套刻偏差和跑货路径计算生成与跑货路径数量相匹配的多套十项补值数据；每套十项补值数据与相应的跑货路径相匹配；将第一层曝光图案与理论曝光图案之间的套刻精度分配到每套的十项补值中，再将每套的十项补值数据进行高阶非线性展开得到高阶非线性模型；利用高阶非线性模型作为套刻精度补值来修正套刻精度，得到修正后的套刻精度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201710187899.6

申请日期：2017-03-27

公开/公告号：CN107045267A

公开/公告日：2017-08-15

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

发明/设计人:彭翔;戴韫青;王剑

主申请人地址:201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

专利代理机构:上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人:吴世华%陈慧弘

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种套刻精度补正的优化方法，其特征在于，包括：步骤01：对一曝光结构进行套刻测量得到曝光结构中各层之间的套刻精度，并将套刻测量得到的套刻精度收集起来；其中，包括测量第一层曝光图案与理论曝光图案之间的套刻精度；步骤02：根据当前层所对准的前层曝光机台区分工具和前层所对准的再前层曝光机台区分工具，来优化设计针对不同工艺的跑货路径，并根据套刻偏差和跑货路径计算生成与跑货路径数量相匹配的多套十项补值数据；其中，每套十项补值数据与相应的跑货路径相匹配；步骤03：将第一层曝光图案与理论曝光图案之间的套刻精度分配到每套的十项补值中，再将每套的十项补值数据进行高阶非线性展开得到高阶非线性模型；步骤04：利用高阶非线性模型作为套刻精度补值来修正套刻精度，得到修正后的套刻精度。