光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法

摘要：

一种光掩模包括：中间掩模衬底；设置在中间掩模衬底上并限定在半导体衬底上实现的光致抗蚀剂图案的主图案；以及与主图案相邻的抗反射图案。彼此相邻的一对抗反射图案之间的距离是第一长度，并且所述一对抗反射图案中的至少一个的宽度是第二长度。第一长度和第二长度之和等于或小于由曝光工艺的分辨率限定的最小间距。主图案和最靠近主图案的抗反射图案之间的距离等于或小于第一长度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201710075800.3

申请日期：2017-02-13

公开/公告号：CN107092161A

公开/公告日：2017-08-25

主分类号：G03F1/46(2012.01)I

申请/专利权人:三星电子株式会社

发明/设计人:金良男

主申请人地址:韩国京畿道

专利代理机构:北京市柳沈律师事务所 11105

代理人:翟然

国别省市代码:韩国;KR

权利要求：

一种光掩模，包括：中间掩模衬底；在所述中间掩模衬底上的主图案，所述主图案限定将要在半导体衬底上实现的光致抗蚀剂图案；和与所述主图案相邻的抗反射图案，其中，彼此相邻的一对抗反射图案之间的距离是第一长度，所述一对抗反射图案中的至少一个的宽度是第二长度，所述第一长度和所述第二长度之和等于或小于曝光工艺的分辨率，以及所述主图案与最靠近所述主图案的所述抗反射图案之间的距离等于或小于所述第一长度。