图案形成方法、抗蚀剂图案、电子器件的制造方法及上层膜形成用组合物

摘要：

本发明提供一种图案形成方法、通过上述图案形成方法而形成的抗蚀剂图案、包含上述图案形成方法的电子器件的制造方法，并且通过上述上层膜形成用组合物以高级别兼顾DOF、EL及液残留缺陷性能，所述图案形成方法具备：工序a，将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上，从而形成抗蚀剂膜；工序b，利用上层膜形成用组合物而在抗蚀剂膜上形成上层膜；工序c，将形成有上层膜的抗蚀剂膜进行曝光；及工序d，使用含有有机溶剂的显影液对经曝光的抗蚀剂膜进行显影来形成图案，所述图案形成方法中，上层膜形成用组合物含有ClogP值为2.85以上的具有重复单元(a)的树脂及ClogP为1.30以下的化合物(b)，上层膜相对于水的后退接触角为70度以上。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201680016941.1

申请日期：2016-03-04

公开/公告号：CN107407886A

公开/公告日：2017-11-28

主分类号：G03F7/11(2006.01)I

申请/专利权人:富士胶片株式会社

发明/设计人:畠山直也;井上尚纪;丹吴直纮;白川三千纮;后藤研由

主申请人地址:日本国东京都

专利代理机构:中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人:葛凡

国别省市代码:日本;JP

权利要求：

一种图案形成方法，其具备：工序a，将感光化射线性或感放射线性树脂组合物涂布于基板上，从而形成抗蚀剂膜；工序b，利用上层膜形成用组合物而在所述抗蚀剂膜上形成上层膜；工序c，将形成有所述上层膜的所述抗蚀剂膜进行曝光；及工序d，使用含有有机溶剂的显影液对所述经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影来形成图案，所述图案形成方法中，所述上层膜形成用组合物含有ClogP值为2.85以上的具有重复单元(a)的树脂及ClogP为1.30以下的化合物(b)，所述上层膜相对于水的后退接触角为70度以上。