套准精度量测图形结构

摘要：

本实用新型提供了一种套准精度量测图形结构，包括：在光刻胶层次的光刻版图上形成的长条形凹槽，用于在曝光过程中在晶圆表面上通过光栅反应形成相应凹槽。本实用新型在光刻掩膜版的设计上把套准精度量测图形的结构设计成凹槽结构。凹槽周围都是大块的光刻胶，附着在晶圆表面的面积大，附着力强。这样即使套准精度量测图形边缘的光刻胶底部被反应掉，但是不会出现倒胶脱落的风险，保证了套准精度量测图形的完整性。本实用新型能够减少厚光刻胶层次套准精度量测图形倒胶风险，从而减少了光刻套准精度量测异常的产生，提高了产品成品率。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201620809339.0

申请日期：2016-07-29

公开/公告号：CN205862102U

公开/公告日：2017-01-04

主分类号：G03F9/00(2006.01)I

申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

发明/设计人:周世均;郑海昌;朱骏

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人:智云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种套准精度量测图形结构，其特征在于包括：在光刻胶层次的光刻版图上形成的长条形凹槽。