一种校正曝光图形的掩模板

摘要：

本实用新型公开一种校正曝光图形的掩模板，属于半导体技术领域，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体上设有中心图案和边缘校正图案，所述边缘校正图案与边缘失真图案垂直；所述边缘校正图案为椭圆形；所述中心图案为圆形。本实用新型的掩模板通过改变掩模板的图案结构来实现，掩模板边缘区域的图案与曝光使用的掩模板边缘区域发生变形的图案垂直。本实用新型从掩模板入手，提出了极限曝光下校正其图案的技术手段，极限曝光时图案采用特定的掩模板可以校正图案形状，提高光刻工艺的生产效率。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201620262796.2

申请日期：2016-03-31

公开/公告号：CN205910491U

公开/公告日：2017-01-25

主分类号：G03F1/42(2012.01)I

申请/专利权人:徐州同鑫光电科技股份有限公司

发明/设计人:涂亮亮;刘亚坤;林建男;魏明德

主申请人地址:221000 江苏省徐州市经济开发区杨山路98号

专利代理机构:徐州市三联专利事务所 32220

代理人:陈鹏

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种校正曝光图形的掩模板，其特征在于，包括掩膜板本体(4)，所述掩膜板本体(4)上设有中心图案(6)和边缘校正图案(8)，所述边缘校正图案(8)与边缘失真图案(7)垂直；所述边缘校正图案(8)为椭圆形，椭圆形的边缘校正图案(8)的椭圆两轴相对于圆直径，修正0??5％；所述中心图案(6)为圆形，从圆形中心图案(6)渐变为椭圆形的边缘校正图案(8)。