半导体器件及其制造方法

摘要：

制造半导体器件的方法包括在介电层上方设置图案化掩模的步骤。介电层包括低温固化聚酰亚胺。该方法进一步包括通过图案化掩模将介电层的第一表面暴露于I线步进器内的I线波长，以及显影介电层以形成开口的步骤。本发明的实施例还涉及半导体器件。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201611222542.9

申请日期：2016-12-27

公开/公告号：CN107203099A

公开/公告日：2017-09-26

主分类号：G03F7/26(2006.01)I

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

发明/设计人:刘子正;胡毓祥;郭宏瑞

主申请人地址:中国台湾新竹

专利代理机构:北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人:章社杲%李伟

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在介电层上方设置图案化掩模，所述介电层包括低温固化聚酰亚胺；通过所述图案化掩模将所述介电层的第一表面暴露于I线步进器内的I线波长；以及显影所述介电层以形成开口。