一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机

摘要：

本发明公开了一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机，该方法包括将晶圆保护模块放置于基台的表面上；根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量；判断所述偏移量是否大于预设阈值；若大于所述预设阈值，则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。通过上述方式，本发明能够提高晶圆保护模块位置的准确性。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201611217144.8

申请日期：2016-12-26

公开/公告号：CN106773542A

公开/公告日：2017-05-31

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:南通通富微电子有限公司

发明/设计人:吴谦国

主申请人地址:226000 江苏省南通市苏通科技产业园江成路1088号江成研发园内3号楼1477室

专利代理机构:深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人:李庆波

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法，其特征在于，所述方法包括：将晶圆保护模块放置于基台的表面上；根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量；判断所述偏移量是否大于预设阈值；若大于所述预设阈值，则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置，以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。