半导体装置的制作方法

摘要：

一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201611187173.4

申请日期：2016-12-20

公开/公告号：CN107203092A

公开/公告日：2017-09-26

主分类号：G03F1/56(2012.01)I

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

发明/设计人:赖韦翰;张庆裕

主申请人地址:中国台湾新竹市

专利代理机构:隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人:张福根

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包括：形成一光致抗蚀剂图案于一材料层上，其中该光致抗蚀剂图案的形成步骤包括曝光工艺、曝光后烘烤工艺、与显影工艺；施加一底漆材料至该光致抗蚀剂图案；以及在施加该底漆材料至该光致抗蚀剂图案之后，涂布一收缩材料于该光致抗蚀剂图案上。