一种大面积纳米缝隙阵列及其制作方法

摘要：

本发明公开了一种用于大面积纳米缝隙阵列的制作方法，涉及微纳加工领域。将角度沉积的阴影效应与基底旋转结合起来，通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度参数相互配合，制作新型且大面积的纳米缝隙阵列结构。并且利用本发明所公开的技术，以光栅为沉积掩模基底，已经制作出大面积周期性纳米缝隙阵列结构。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201611072696.4

申请日期：2016-11-29

公开/公告号：CN106773540A

公开/公告日：2017-05-31

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:四川大学

发明/设计人:时元振;庞霖

主申请人地址:610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号

国别省市代码:四川;51

权利要求：

一种用于大面积纳米缝隙阵列结构制作的方法，其特征在于，利用角度沉积结合基底旋转，通过调节基底的旋转速度、纳米掩模结构、沉积角度及沉积速度进行制作大面积纳米缝隙阵列结构。