一种压印技术制备大面积光子晶体闪烁体的方法

摘要：

本发明涉及一种压印技术制备大面积光子晶体闪烁体的方法，选取压印模板和所需的塑料闪烁体，对模板进行防粘处理，利用进行过防粘处理的模板对塑料闪烁体进行热纳米压印，将压印处理后的模板与塑料闪烁体分离，从而获得与模板图形互补的光子晶体结构，其中压印模板的尺寸大于400mm²，采用特定的加热加压的方式进行热纳米压印。与现有技术相比，本发明可以制备大面积的光子晶体塑料闪烁体，按照所述温度和压强参数可以获得足够深度的光子晶体结构，在制备过程中可以避免模板或样品的损坏。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201611032018.5

申请日期：2016-11-22

公开/公告号：CN106527043A

公开/公告日：2017-03-22

主分类号：G03F7/00(2006.01)I

申请/专利权人:同济大学

发明/设计人:刘波;程传伟;顾牡;陈鸿;陈亮;刘金良;欧阳晓平

主申请人地址:200092 上海市杨浦区四平路1239号

专利代理机构:上海科盛知识产权代理有限公司 31225

代理人:陈亮

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种压印技术制备大面积光子晶体闪烁体的方法，采用以下步骤：(1)选取压印模板和所需的塑料闪烁体；(2)对模板进行防粘处理；(3)利用进行过防粘处理的模板对塑料闪烁体进行热纳米压印；(4)脱模，将压印处理后的模板与塑料闪烁体分离，从而获得与模板图形互补的光子晶体结构，其特征在于，步骤(1)中所述的压印模板的尺寸大于400mm²，步骤(3)中采用加热加压的方式进行热纳米压印，压印采用的温度按照公式<img file="FDA0001158807880000011.TIF" wi="690" he="119" />确定，其中S是压印模板的面积，单位是平方毫米，T是温度，单位是摄氏度，压印采用压强按照<img file="FDA0001158807880000012.TIF" wi="690" he="119" />确定，其中S是压印模板的面积，单位是平方毫米，P是压强，单位是bar。