一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法

摘要：

本发明公开了一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法。该方法包括以下步骤：在设有多个粘片槽的基板上涂第一光刻胶，将多个基片逐片放置在涂有第一光刻胶的各粘片槽内，将压板覆盖在所述基板上，并进行第一次固化处理，在经过第一次固化处理后的基板表面涂第二光刻胶，并进行第二次固化处理；利用光刻板对经过第二次固化处理后的基片进行逐片曝光，直到所述基板上的基片全部曝光完毕；将曝光后的基板进行显影和湿法刻蚀。借助于本发明的技术方案，可以大幅提高小尺寸基片光刻工艺的效率，同时也能够保证光刻图形的完整性和湿法刻蚀工艺的均匀性，有效的提高了小尺寸基片图形加工的效率和产品质量。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201611019099.5

申请日期：2016-11-21

公开/公告号：CN106773537A

公开/公告日：2017-05-31

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:中国电子科技集团公司第十一研究所

发明/设计人:亢喆;温涛;邱国臣

主申请人地址:100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

专利代理机构:工业和信息化部电子专利中心 11010

代理人:于金平

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：在设有多个粘片槽的基板上涂第一光刻胶，将多个基片逐片放置在涂有第一光刻胶的各粘片槽内，将压板覆盖在所述基板上，并进行第一次固化处理，在经过第一次固化处理后的基板表面涂第二光刻胶，并进行第二次固化处理；利用光刻板对经过第二次固化处理后的基片进行逐片曝光，直到所述基板上的基片全部曝光完毕；将曝光后的基板进行显影和湿法刻蚀。