一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法

摘要：

本发明公开了一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，包括如下步骤：(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层；(b)、在缺陷处选定曝光区域并获得曝光数据，对基板进行二次曝光；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。本发明的修补方法不需要专用的修补设备，可以仅依靠现有工艺设备完成，操作方便，能对图形区内大面积金属残留进行有效的清除；大大降低了修补机台的压力，而且二次曝光只是针对特定缺陷区域进行，因此大大加快了二次曝光速度；减少了基板报废率，节约了基板。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201610945708.3

申请日期：2016-10-26

公开/公告号：CN106324980A

公开/公告日：2017-01-11

主分类号：G03F1/72(2012.01)I

申请/专利权人:无锡中微掩模电子有限公司

发明/设计人:胡超;王兴平;尤春;刘维维;沙云峰;刘浩;季书风;朱希进;钱奇;薛文卿

主申请人地址:214000 江苏省无锡市新区菱湖大道202号

专利代理机构:北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411

代理人:黄冠华

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种利用二次曝光技术修补掩模板图形区内缺陷的方法，其特征是，包括如下步骤：(a)、将出现金属残留缺陷的掩模板均匀涂布光胶保护层；(b)、在缺陷处选定曝光区域并获得曝光数据，对基板进行二次曝光；(c)、通过显影工艺在选定区域内获得新的图形并且覆盖原有图形；(d)、通过蚀刻工艺，将没有光胶保护的金属层去除；(e)、对掩模板进行去胶和清洗。