一种基于微纳结构的光刻方法

摘要：

本发明涉及激光器光刻技术领域，提供了一种基于微纳结构的光刻方法。所述方法包括根据光刻的图案和微纳材料，设定激光器；动态调整激光器的光功率和/或脉冲时间；选择第一腐蚀剂，刻蚀微纳材料层中晶化区域；选择第二腐蚀剂，刻蚀沉积态的微纳材料和基座，在基座上形成相应三维图形。本发明实施例利用基于微纳材料(也称为相变材料)的热光刻技术实现了一种快速制备三维微纳结构的方法，能够实现连续作业，性价比高，操作简单，对环境要求宽松，并且可以在系统上增加微透镜阵列以增加产出率，实用性强。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201610932799.7

申请日期：2016-10-31

公开/公告号：CN106444296A

公开/公告日：2017-02-22

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:武汉光迅科技股份有限公司%武汉电信器件有限公司

发明/设计人:曾笔鉴;熊永华;万枫;王任凡

主申请人地址:430074 湖北省武汉市洪山区邮科院路88号

专利代理机构:深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341

代理人:何婷

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

一种基于微纳结构的光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括：根据光刻的图案和微纳材料，设定激光器；动态调整激光器的光功率和/或脉冲时间，使得基座上沉积的微纳材料层中晶化区域满足三维图形指定的深度和宽度；选择第一腐蚀剂，刻蚀微纳材料层中晶化区域；选择第二腐蚀剂，刻蚀沉积态的微纳材料和基座，在基座上形成相应三维图形。