一种光刻工艺窗口的测量方法

摘要：

本发明公开了一种光刻工艺窗口的测量方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆具有通过光刻聚焦值与曝光能量矩阵形成的多个阵列排布的待测结构；通过电子束显微镜获取所述待测结构的线条成像图；通过多像素阈值方法对所述线条成像图进行分析，获取线条一维方向的边缘分布曲线，根据所述边缘分布曲线计算线条粗糙度，绘制像素值与线条粗糙度的关系曲线；以连续变化的最小线条粗糙度对应的边缘像素值作为线条边缘位置基准，根据所述线条边缘位置基准计算线条基准宽度；对所有所述待测结构的所述线条基准宽度、所述最小线条粗糙度进行数据分析，计算光刻工艺窗口的数值范围。该测量方法提高了光刻工艺窗口的测量的准确度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201610890095.8

申请日期：2016-10-12

公开/公告号：CN106325005A

公开/公告日：2017-01-11

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院微电子研究所

发明/设计人:张利斌;韦亚一

主申请人地址:100029 北京市朝阳区北土城西路3号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人:王宝筠

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种光刻工艺窗口的测量方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆具有通过光刻聚焦值与曝光能量矩阵形成的多个阵列排布的待测结构；通过电子束显微镜获取所述待测结构的线条成像图；通过多像素阈值方法对所述线条成像图进行分析，获取线条一维方向的边缘分布曲线，根据所述边缘分布曲线计算线条粗糙度，绘制像素值与线条粗糙度的关系曲线；以连续变化的最小线条粗糙度对应的边缘像素值作为线条边缘位置基准，根据所述线条边缘位置基准计算线条基准宽度；对所有所述待测结构的所述线条基准宽度、所述最小线条粗糙度进行数据分析，计算光刻工艺窗口的数值范围。