2．7?3．5GHz 2W GaN单片功率放大器及设计方法
本发明公开了2.7?3.5GHz?2W?GaN单片功率放大器及设计方法，放大器包括输入匹配网络、级间匹配网络、输出匹配网络及pHEMT晶体管，输入匹配网络的通过pHEMT晶体管与级间匹配网络相连，级间匹配网络的通过pHEMT晶体管与输出匹配网络相连，栅极偏置电源分别与输入匹配网络和级间匹配网络相连，级间匹配栅偏置电源分别与级间匹配网络和输出匹配网络相连。本发明简化了模块电路的设计难度，相比传统混合集成电路尺寸明显减小，确定了管芯的最佳负载阻抗和最佳源阻抗，并且设计了输入、输出和级间匹配网络的电路原理图，优化了稳定系数、输入输出驻波系统、增益、功率、效率、谐波抑制等指标，设计了单片微波功率放大器的版图。
发明专利
CN201610521322.X
2016-07-05
CN106067770A
2016-11-02
H03F1/56(2006.01)I
成都泰格微电子研究所有限责任公司
许欢
611731 四川省成都市高新西区新文路18号
成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218
袁英
四川;51
一种2.7?3.5GHz?2W?GaN单片功率放大器，其特征在于，包括输入匹配网络、级间匹配网络网络、输出匹配网络、栅极偏置电源、漏极偏置电源、pHEMT晶体管S1、S2；所述的输入匹配网络的端口1与信号源连接，输入匹配网络的端口3分别与级间匹配网络的端口3和电感L1的一端相连，电感L1的另一端与栅极偏置电源的正极相连，栅极偏置电流的负极接地，输入匹配网络的端口2与pHEMT晶体管S1的栅极相连，pHEMT晶体管S1的源极接地，pHEMT晶体管S1的漏极与级间匹配网络的端口1相连，级间匹配网络的端口4与漏极偏置电源的正极相连，漏极偏置电源的负极接地，级间匹配网络的端口2与pHEMT晶体管S2的栅极相连，pHEMT晶体管S2的源极接地，pHEMT晶体管S2的漏极与输出匹配网络的端口1相连，输出匹配网络的端口2与负载相连，输出匹配网络的端口3与漏极偏置电源的正极相连，漏极偏置电源的负极接地；所述的输入匹配网络包括与级间匹配网络的端口3连接的电容C1、电容C2和电阻R1相连电容C1的另一端与背孔BVIA1的一端连接,背孔BVIA1的另一端接地，圆电容C2的另一端与背孔BVIA2的一端相连，背孔BVIA2的另一端接地，电阻R1的另一端与电感L2的一端相连，电感L2的另一端与微带线TL1的一端相连，微带线TL1的另一端分别与电阻R2的一端，微带线TL2的一端，电容C5的一端以及?电阻R3的一端相连，微带线TL2的另一端与电容C3的一端相连，电容C3的另一端与输入匹配网络的端口1相连，电阻R2的另一端与电容C4的一端相连，电容C4的另一端与背孔BVIA3的一端相连，背孔BVIA3的另一端接地，输入匹配网络的端口2分别与电容C5的另一端与电阻R3的另一端相连；所述的级间匹配网络包括与级间匹配网络的端口3相连的电容C6、电容C7和电感L3相连；电容C6的另一端与背孔BVIA4的一端相连，背孔BVIA4的另一端接地，电容C7的另一端与背孔BVIA5的一端相连，背孔BVIA5的另一端接地，电感L3的另一端与微带线TL3的一端相连，微带线TL3的另一端分别与微带线TL4的一端和电感L4的一端相连，微带线TL4的另一端与级间匹配网络的端口1相连，电感L4的另一端与电容C10的一端相连，电容C10的另一端分别与微带线TL5的一端,电容C11的一端以及电阻R4的一端相连，电容C11的另一端分别与电阻R4的另一端和级间匹配网络的端口4相连，微带线TL5的另一端与电感L5的一端相连，电感L5的另一端分别与电容C9的一端，电容C8的一端以及级间匹配网络的端口2?相连，电容C9的另一端与背孔BVIA7的一端连接,背孔BVIA7的另一端接地，电容C8的另一端与背孔BVIA7的一端连接,背孔BVIA6的另一端接地；所述的输出匹配网络包括与输出匹配网络的端口3相连的电容C12、电容C13和电感L6，电容C12的另一端与背孔BVIA8的一端相连，背孔BVIA8的另一端接地，电容C13的另一端与背孔BVIA9的一端相连，背孔BVIA9的另一端接地，电感L6的另一端与微带线TL6的一端相连，微带线TL6的另一端分别与输出匹配网络端口1和电容C14的一端相连，电容C14的另一端分别与电容C15的一端和微带线TL7的一端相连，电容C15的另一端和背孔BVIA10的一端相连，背孔BVIA10的另一端接地，微带线TL7的另一端与电感L7的一端相连，电感L7的另一端分别与电容C16的一端和输出匹配网络的端口2相连，电容C16的另一端和背孔BVIA11的一端相连，背孔BVIA11的另一端接地。