一种采用电子束的光刻方法

摘要：

本发明涉及一种采用电子束的光刻方法，该方法包括：提供一电子束；使该电子束透过一二维纳米材料后形成一透射电子束和多个衍射电子束；将该透射电子束挡住；以及使该多个衍射电子束照射在待加工件的表面形成多个衍射斑点。本发明提供的采用电子束的光刻方法，通过二维纳米材料将一个电子束衍射成多个电子束，既成本低廉又提高了工作效率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201610405199.5

申请日期：2016-06-08

公开/公告号：CN107479330A

公开/公告日：2017-12-15

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:清华大学%鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

发明/设计人:柳鹏;赵伟;林晓阳;周段亮;张春海;姜开利;范守善

主申请人地址:100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种采用电子束的光刻方法，其特征在于，该方法包括：提供一电子束；使该电子束透过一二维纳米材料后形成一透射电子束和多个衍射电子束；将该透射电子束挡住；以及使该多个衍射电子束照射在待加工件的表面形成多个衍射斑点。