DNA测序装置及制作方法

摘要：

本发明提供了一种DNA测序装置及制作方法,该装置主要包括：置于双面抛光单晶硅片上的二氧化硅薄膜，该二氧化硅薄膜顶部生长有氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜上制备底层接触电极。在底层接触电极上方覆盖有底层石墨烯微带，在底层石墨烯微带上方覆盖有六方氮化硼微带，在六方氮化硼微带上方覆盖有顶层石墨烯微带，底层石墨烯微带、六方氮化硼微带和顶层石墨烯微带构成了一个石墨烯—六方氮化硼—石墨烯异质结构，并刻蚀石墨烯—六方氮化硼—石墨烯纳米孔。该装置解决了常规固态纳米孔通道太长导致测序分辨率难以达到单个碱基的问题，克服了隧穿电流DNA测序法中隧穿电极难以制作的问题。这些优点为实现单碱基分辨率、直接纳米孔测序奠定了基础。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201610320198.0

申请日期：2016-05-13

公开/公告号：CN105838592A

公开/公告日：2016-08-10

主分类号：C12M1/34(2006.01)I

申请/专利权人:北京交通大学

发明/设计人:邓涛;刘亚轩;侯建军

主申请人地址:100044 北京市海淀区西直门外上园村3号

专利代理机构:北京市商泰律师事务所 11255

代理人:黄晓军

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种DNA测序装置，其特征在于，包括：设置于双面抛光单晶硅片上的底层接触电极，在底层接触电极上方覆盖有底层石墨烯微带，在底层石墨烯微带上方覆盖有六方氮化硼微带，在六方氮化硼微带上方覆盖有顶层石墨烯微带，底层石墨烯微带、六方氮化硼微带和顶层石墨烯微带构成了一个石墨烯—六方氮化硼—石墨烯异质结构，在石墨烯—六方氮化硼—石墨烯异质结中心刻蚀石墨烯—六方氮化硼—石墨烯纳米孔。