对准方法及对准系统

摘要：

一种对准方法及对准系统，其中对准方法包括：提供待曝光晶圆；将待曝光晶圆放置在基准平面上；对曝光面进行对准测量，获得测量距离；进行曝光面与基准平面之间的调平测量，获得调平数据；根据调平数据和测量距离，获得扩张参考值；根据扩张参考值和标准距离的差异，获得扩张补偿值；根据扩张补偿值，调整光刻工艺参数以实现对准。本发明在扩张补偿值的计算中，加入了曝光面的调平数据；在未增加对准标志的前提下，能够获得曝光面内对准标志和基准点之间的实际距离，能够有效的减小晶圆翘曲对曝光对准误差的影响，有效提高所获得曝光补偿值的补偿精度，提高对准精度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201610309546.4

申请日期：2016-05-11

公开/公告号：CN107367911A

公开/公告日：2017-11-21

主分类号：G03F9/00(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司%中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明/设计人:张强;郝静安

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人:高静%吴敏

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种对准方法，其特征在于，包括：提供待曝光晶圆，所述待曝光晶圆的曝光面上设置有对准标志和作为曝光中心的基准点，所述对准标志与所述基准点之间预设的距离为标准距离；将所述待曝光晶圆放置在基准平面上；对所述曝光面进行对准测量，获得所述对准标志和所述基准点在基准平面上的投影距离，作为测量距离；进行所述曝光面与所述基准平面之间的调平测量，获得所述基准点与对准标志之间曝光面的调平数据；根据所述调平数据和所述测量距离，获得所述曝光面内所述对准标志与所述基准点之间的距离，作为扩张参考值；根据所述扩张参考值和所述标准距离的差异，获得扩张补偿值；根据所述扩张补偿值，调整光刻工艺参数以实现对准。