套刻测量系统以及测量套刻精度的方法

摘要：

一种套刻测量系统以及测量套刻精度的方法，其中套刻测量系统包括：光传感器，所述光传感器适于在以第一速度移动的过程中，对晶圆上的当层套刻记号和前层套刻记号进行扫描，且适于获得实际扫描到当层套刻记号与实际扫描到前层套刻记号间的时间差，并依据第一速度的大小和所述时间差，获得当层套刻记号与前层套刻记号之间的位置差异；位于光传感器一侧的层流装置，层流装置适于向光传感器提供层流气体环境，层流气体环境的层流气体风向与第一速度的方向相同，层流气体环境的层流气体流速与第一速度的大小相等。本发明减小或抵消光传感器在扫描过程中受到的空气阻力，从而减小或避免空气阻力对测量套刻精度的影响，提高了测量的套刻精度的准确率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201610274369.0

申请日期：2016-04-28

公开/公告号：CN107329371A

公开/公告日：2017-11-07

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司%中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

发明/设计人:孙晓雁;刘剑尧;伍强

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人:高静%吴敏

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种套刻测量系统，其特征在于，包括：光传感器，所述光传感器适于在以第一速度移动的过程中，对晶圆上的当层套刻记号和前层套刻记号进行扫描，且适于获得实际扫描到当层套刻记号与实际扫描到前层套刻记号之间的时间差，并依据所述第一速度的大小和所述时间差，获得当层套刻记号与前层套刻记号之间的位置差异；位于所述光传感器一侧的层流装置，所述层流装置适于向光传感器提供层流气体环境，且所述层流气体环境的层流气体风向与第一速度的方向相同，所述层流气体环境的层流气体流速与第一速度的大小相等。