应用在超材料制备中的光刻仪和微结构图案光刻方法

摘要：

本发明公开了一种应用在超材料制备中的光刻仪和微结构图案光刻方法，该光刻仪包括：用于将接收的激光束分为两束以上相干光并输出的分束器；用于接收并调整两束以上相干光中的至少一束第一相干光的相位并对调整相位后的至少一束第一相干光进行输出的普克尔斯盒；其中，普克尔斯盒所输出的至少一束第一相干光与分束器所输出的未被普克尔斯盒接收调整的第二相干光在基板上发生干涉从而在基板上形成微结构图案。本发明通过采用激光干涉形成的周期性图案，能够简化制造工艺；通过采用普克尔斯盒进行光程差调节，使得光相干光在干涉处的光强度高形成干涉图案，并实现干涉图案的精准移动，不仅提高了制备效率还提高了图案的制造精准度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201610204088.8

申请日期：2016-04-01

公开/公告号：CN107290939A

公开/公告日：2017-10-24

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:深圳光启高等理工研究院

发明/设计人:不公告发明人

主申请人地址:518057 广东省深圳市南山区高新区中区高新中一道9号软件大厦2楼

专利代理机构:北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人:章社杲%卢军峰

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种应用在超材料制备中的光刻仪，其特征在于，包括：用于将接收的激光束分为两束以上相干光并输出的分束器；用于接收并调整所述两束以上相干光中的至少一束第一相干光的相位并对调整相位后的所述至少一束第一相干光进行输出的普克尔斯盒；其中，所述普克尔斯盒所输出的所述至少一束第一相干光与所述分束器所输出的未被所述普克尔斯盒接收调整的第二相干光在基板上发生干涉从而在基板上形成微结构图案。