光刻设备和曝光方法

摘要：

描述了一种曝光方法，该方法包括以下步骤：a)将第一图案转移到衬底的多个目标部分中的每一个上，第一图案包括至少一个对准标记；b)测量多个对准标记的位置，并且针对多个对准标记中的每一个，将对准标记位移(dx，dy)确定为对准标记的相应预定标称位置与对准标记的相应测量位置之差；c)将数学模型拟合到多个对准标记位移以获得拟合的数学模型，d)基于拟合的数学模型，确定第一图案在多个目标部分中的每一个中的位置；e)使用多个目标部分中的每一个中的所确定的第一图案的位置将第二图案转移到多个目标部分中的每一个上，其中数学模型包括多项式Z1和Z2：在极坐标(r,θ)中Z1＝r²??cos(2θ)Z2＝r²??sin(2θ)，在笛卡尔坐标(x,y)中Z1＝x²??yZ2＝xy。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201580030769.0

申请日期：2015-05-13

公开/公告号：CN106462089A

公开/公告日：2017-02-22

主分类号：G03F9/00(2006.01)I

申请/专利权人:ASML荷兰有限公司

发明/设计人:P·J·克拉默;R·吉利贾姆塞;N·拉默斯;D·M·斯洛特布姆

主申请人地址:荷兰维德霍温

专利代理机构:北京市金杜律师事务所 11256

代理人:王茂华

国别省市代码:荷兰;NL

权利要求：

一种曝光方法，包括以下步骤：a)将第一图案转移到衬底的多个目标部分中的每一个上，所述第一图案包括至少一个对准标记；b)测量在步骤a)期间转移的相应多个对准标记的多个位置，并且将针对所述相应多个对准标记的多个对准标记位移(dx，dy)确定为所述对准标记的相应预定标称位置与所述对准标记的相应测量位置之差；c)将数学模型拟合到所述多个对准标记位移以获得拟合的数学模型；d)基于所拟合的数学模型，确定所述第一图案在所述多个目标部分中的每一个中的位置；e)使用所述多个目标部分中的每一个中的所确定的第一图案的位置，将第二图案转移到所述多个目标部分中的每一个上，其中所述数学模型包括多项式Z1和Z2：在极坐标(r,θ)中??Z1＝r²cos(2θ)??Z2＝r²sin(2θ)或在笛卡尔坐标(x,y)中??Z1＝x²??y²??Z2＝xy。