一种GaN功率管数字栅极偏置电路

摘要：

本实用新型公开了一种GaN功率管数字栅极偏置电路，包括电源芯片U1，DAC芯片U2，三个场效应晶体管U3、U4、U7，漏极MOS管U5，运算放大器U6，单刀双掷开关U8以及电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12；电源芯片U1、场效应晶体管U3、场效应晶体管U4、漏极MOS管U5和电阻R1、R2、R3、R4、R5构成漏极延时电路。本实用新型的有益效果是：可实现给GaN功率管栅极提供负压偏置，并保证栅压先上电2毫秒后漏压才能接通，保护GaN功率管不会因为栅压过高而烧毁，同时能够实现功率管的开关。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201521129048.9

申请日期：2015-12-30

公开/公告号：CN205304744U

公开/公告日：2016-06-08

主分类号：H03F1/52(2006.01)I

申请/专利权人:三维通信股份有限公司

发明/设计人:韩持宗;吴志坚

主申请人地址:310053 浙江省杭州市滨江区火炬大道581号三维大厦（高新区）

专利代理机构:杭州九洲专利事务所有限公司 33101

代理人:陈继亮

国别省市代码:浙江;33

权利要求：

一种GaN功率管数字栅极偏置电路，其特征在于：包括：电源芯片U1，DAC芯片U2，三个场效应晶体管U3、U4、U7，漏极MOS管U5，运算放大器U6，单刀双掷开关U8以及电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12；其中，电源芯片U1、DAC芯片U2、运算放大器U6、场效应晶体管U7、单刀双掷开关U8和电阻R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12构成栅极供电电路，其中DAC芯片U2、场效应晶体管U7、单刀双掷开关U8和电阻R7、R8、R9、R10构成栅极开关电路；电源芯片U1、场效应晶体管U3、场效应晶体管U4、漏极MOS管U5和电阻R1、R2、R3、R4、R5构成漏极延时电路。