一种LDMOS射频功率放大管的偏置温度补偿装置

摘要：

本实用新型提供一种LDMOS射频功率放大管的偏置温度补偿装置，包括：温度检测模块和栅极偏置电压输出电路，所述温度检测模块的电压输出端与所述栅极偏置电压输出电路的输入端相连接，所述栅极偏置电压输出电路通过运算放大器输出偏置电压至LDMOS射频功率放大管的栅极。本实用新型针对LDMOS射频功率放大管的温度特性，通过温度传感、运算放大器及其外围电路的共同作用，成功地补偿了LDMOS射频功率放大管的静态偏置电流随温度的变化，实现的电路结构简单且补偿精度高，对模拟功放的设计具有非常重要的意义。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201520881274.6

申请日期：2015-11-06

公开/公告号：CN205039781U

公开/公告日：2016-02-17

主分类号：H03F1/30(2006.01)I

申请/专利权人:深圳市华乾科技有限公司

发明/设计人:李海江

主申请人地址:518000 广东省深圳市南山区西丽沙河西路5158号百旺研发大厦1栋1501-1

专利代理机构:深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248

代理人:温玉珍

国别省市代码:广东;44

权利要求：

一种LDMOS射频功率放大管的偏置温度补偿装置，其特征在于，包括：温度检测模块和栅极偏置电压输出电路，所述温度检测模块的电压输出端与所述栅极偏置电压输出电路的输入端相连接，所述栅极偏置电压输出电路通过运算放大器输出偏置电压至LDMOS射频功率放大管的栅极。