一种曝光方法

摘要：

本发明提供一种曝光方法，在掩膜版上的图形区域布置若干掩膜对准标记，在基底台上对应设置若干个掩模对准传感器，将掩膜版用栅格形式描述得到每个掩膜栅格的形变量，同样在基底上布置若干个基底对准标记，同时在整机框架上对应设置若干个基底对准传感器，用栅格形式描述得到每个基底栅格的形变量，控制系统根据每个基底栅格的形变量和其对应的掩膜栅格形变量计算得到投影物镜和/或基底台的用于补偿形变的运动轨迹，在经过仿真平台验证该运动轨迹的准确性后，进行曝光，并在曝光时根据验证过准确性的运动轨迹移动基底台和投影物镜，以减少曝光误差，这样能够显著减小曝光误差，提高曝光精准度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201511025817.5

申请日期：2015-12-30

公开/公告号：CN106933047A

公开/公告日：2017-07-07

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海微电子装备有限公司

发明/设计人:马琳琳;杨志勇;孙刚;朱健

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张东路1525号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人:屈蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种曝光方法，其特征在于，包括：S1、在掩模版上的图形区域布置若干掩模对准标记，形成掩模对准标记阵列，在基底台上对应设置若干个掩模对准传感器，用于测量所述图形区域的掩模形变，并用栅格形式描述，得到掩模栅格系数；S2、在所述图形区域布置若干基底对准标记，形成基底对准标记阵列，在整机框架上对应设置若干个基底对准传感器，用于测量基底上的曝光区域的基底形变，并用栅格形式描述，得到基底栅格系数；S3、根据所述基底栅格系数和掩模栅格系数计算得到投影物镜和/或基底台的补偿运动轨迹，并通过仿真平台验证补偿运动轨迹的准确性；S4、曝光所述曝光区域时，根据验证后的所述补偿运动轨迹调整所述投影物镜和/或所述基底台，对所述基底形变和所述掩模形变进行补偿，直至曝光完毕。