一种硅片预对准方法

摘要：

本发明公开了一种硅片预对准方法，包括以下步骤：首先通过定心台、升降台和旋转台对硅片进行定心，使硅片的中心与定心台的中心重合；其次通过图像采集设备对硅片进行图像采集；再次根据图像特征通过划线槽将其由上至下划分为若干个分区；然后对图像进行处理，获取其中满足设定条件的划线槽的中轴线作为广义标记；最后根据该广义标记与指定上片角度的差值，对硅片进行旋转完成定向。本发明根据获取的图像中硅片表面的特征，通过划线槽将图像分成若干分区，并通过图像处理，获取其中最水平的划线槽的中轴线作为广义标记，无需在硅片上做额外的标记，该广义标记受外界因素的影响大大降低，稳定性好，提高了识别的准确度和硅片的预对准精度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201511021917.0

申请日期：2015-12-30

公开/公告号：CN106933069A

公开/公告日：2017-07-07

主分类号：G03F9/00(2006.01)I

申请/专利权人:上海微电子装备有限公司%上海微高精密机械工程有限公司

发明/设计人:周细文;孙伟旺;田翠侠;郑教增

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张东路1525号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人:屈蘅%李时云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种硅片预对准方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：通过定心台、升降台和旋转台对硅片进行定心，使硅片的中心与定心台的中心重合；S2：通过图像采集设备对硅片进行图像采集；S3：根据图像特征通过划线槽将其由上至下划分为若干个分区；S4：对图像进行处理，获取其中满足设定条件的划线槽的中轴线作为广义标记；S5：根据该广义标记与指定上片角度的差值，对硅片进行旋转完成定向。