光学防伪元件及其制备方法

摘要：

本发明涉及光学防伪领域，公开了一种光学防伪元件及其制备方法，该方法包括：在基材的同一表面上形成具有第一区域和第二区域的起伏结构层，其中所述第一区域中的起伏结构表面的比体积小于所述第二区域中的起伏结构表面的比体积；在所述起伏结构层上形成镀层；在所述镀层上形成保护层，且所述保护层在所述第一区域中的最小厚度大于所述保护层在所述第二区域中的最小厚度；以及将所述光学防伪元件置于能与所述镀层反应的氛围中，直到所述第二区域中的镀层被完全或者部分腐蚀但所述第一区域中的镀层得以保留为止。本发明工艺简单，生产高效，成本低廉，且能够实现镀层的精准镂空并提高防伪效果。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201510954137.5

申请日期：2015-12-17

公开/公告号：CN106891637A

公开/公告日：2017-06-27

主分类号：B42D25/378(2014.01)I

申请/专利权人:中钞特种防伪科技有限公司%中国印钞造币总公司

发明/设计人:胡春华;吴远启;李欣毅;朱军;张巍巍;张昊宇

主申请人地址:100070 北京市丰台区科学城星火路6号

专利代理机构:北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人:曹寒梅%肖冰滨

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种光学防伪元件的制备方法，该方法包括：在基材的同一表面上形成具有第一区域和第二区域的起伏结构层，其中所述第一区域中的起伏结构表面的比体积小于所述第二区域中的起伏结构表面的比体积；在所述起伏结构层上形成镀层；在所述镀层上形成保护层，且所述保护层在所述第一区域中的最小厚度大于所述保护层在所述第二区域中的最小厚度；以及将所述光学防伪元件置于能与所述镀层反应的氛围中，直到所述第二区域中的镀层被完全或者部分腐蚀但所述第一区域中的镀层得以保留为止。