光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化的方法

摘要：

一种光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化之方法，用于光刻技术图案化之方法包括以下步骤：提供基板；在此基板之上形成材料层；将此材料层的一部分暴露于辐射；且在显影剂中移除此材料层的一未暴露部分，产生图案化材料层。显影剂具有大于1.82的Log??P值且含有有机溶剂。在一实施例中，有机溶剂为由化学式CH₃R₅CHR₄CHR₃CHR₂COOCH₂R₁表示的乙酸正丁酯衍生物，其中R₁、R₂、R₃、R₄，及R₅各自选自由以下各者组成的群组：氢基、甲基、乙基、及氟烷基。由此显影剂所形成的抗蚀剂图案具有低的线边缘粗糙度及线宽度粗糙度，因此，本发明的显影剂能够在光刻工艺中提供高的图案保真度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201510860952.5

申请日期：2015-11-30

公开/公告号：CN106325002A

公开/公告日：2017-01-11

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

发明/设计人:赖韦翰;张庆裕

主申请人地址:中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

专利代理机构:北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人:徐金国

国别省市代码:台湾;71

权利要求：

一种用于光刻技术图案化的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一基板；在该基板上形成一材料层；将该材料层的一部分暴露于一辐射；以及在一显影剂中移除该材料层的一未曝露部分，产生一图案化材料层，其中该显影剂包含一有机溶剂且具有大于1.82的一Log??P值。