60GHz锁相环低电压下抗工艺涨落的电压控制CMOS LC振荡器
本发明公开了一种60GHz锁相环低电压下抗工艺涨落的电压控制CMOS?LC振荡器。该振荡器包括：由NMOS器件N2、N3组成的负阻对电路，累积型变容管C2、C3和电感L2组成的谐振腔，负阻对电路和谐振腔组成LC振荡器；由NMOS器件N1、N5电感L1和电容C1组成的合成和输出缓冲电路；由NMOS器件N4、多晶硅电阻R1组成的体电压调制电路。通过适当增加N1、N5、N2、N3管的体电压，可以降低N管阈值，使电路能在低压下工作。引入体电压调制电路，降低了工艺波动对LC振荡器和合成和输出缓冲电路性能的影响。
发明专利
CN201510748547.4
2015-11-07
CN105281762A
2016-01-27
H03L7/099(2006.01)I
浙江大学
周骞;韩雁;张世峰
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号
杭州求是专利事务所有限公司 33200
林松海
浙江;33
一种60?GHz锁相环低电压下抗工艺涨落的电压控制CMOS?LC?振荡器，其特征在于：包括LC谐振腔电路，负阻对电路，体电压调制电路，合成和输出缓冲电路；所述的LC谐振腔电路包括电感L2和变容管C2、C3；其中L2两端分别与C2和C3的负极相连，L2中间抽头端与电源电压VDD相连；C2正极与C3正极相连，C2正极与输入控制电压VTUNE相连；?VTUNE是由环路滤波器产生的电压控制信号；所述的LC谐振腔电路工作在60?GHz频段，其中L2为中心抽头的片上螺旋形电感，C2、C3为累积性变容管；所述的负阻对电路，包括NMOS器件N2、N3，N2的栅极与N3的漏极相接，N3的栅极与N2的漏极相接，N2与N3的源级接地，N2和N3构成一个负阻对，用于给L2、C2、C3构成的谐振腔提供能量；所述的合成和输出缓冲电路，包括：NMOS器件N1、N5，电感L1和电容C1；其中N1栅极与N2漏极相连，N5栅极与N3漏极相连；L1一端接N1漏极，一端接电源；C1正极接N1漏极，负极接Fout，Fout是输出端口；所述的的体电压调制电路，包括：NMOS器件N4和电阻R1；其中N4栅极接N4的漏极，N4漏极接R1，R1另外一端接电源电压VDD，Vbody是体电压调制电路产生的控制电压；N1、N2、N3、N5的体端接Vbody控制信号。