对位标记、形成对位标记的方法及半导体器件

摘要：

本发明涉及一种对位标记，在光刻工艺中形成于介质层，介质层包括：位于多晶硅层上的第一介质层和位于两个金属层之间的金属层间介质层，对于第一介质层，与第一介质层上的对位标记区域对应位置的多晶硅层被去除，使得该对位标记区域形成的对位标记的蚀刻深度大于第一介质层的厚度；对于金属层间介质层，与金属层间介质层上的对位标记区域对应位置的金属层被去除，使得金属层间介质层上形成的对位标记的蚀刻深度大于该金属层间介质层的厚度。此外还提供一种在半导体工艺中形成对位标记的方法。上述对位标记及其在半导体工艺中形成对位标记的方法，可获得更深的对位标记，避免晶圆制作过程引入的对位误差。此外还提供一种在半导体器件。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201510680813.4

申请日期：2015-10-19

公开/公告号：CN106597818A

公开/公告日：2017-04-26

主分类号：G03F9/00(2006.01)I

申请/专利权人:无锡华润上华科技有限公司

发明/设计人:栾会倩

主申请人地址:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

专利代理机构:广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人:邓云鹏

国别省市代码:江苏;32

权利要求：

一种对位标记，在光刻工艺中形成于介质层，所述介质层包括：位于多晶硅层上的第一介质层和位于两个金属层之间的金属层间介质层，其特征在于：对于所述第一介质层，与所述第一介质层上的对位标记区域对应位置的多晶硅层被部分或全部去除，使得该对位标记区域形成的对位标记的蚀刻深度大于所述第一介质层的厚度；对于所述金属层间介质层，与所述金属层间介质层上的对位标记区域对应位置的金属层被去除，使得相邻的两层介质层在对位标记区域接触；且所述金属层间介质层上形成的对位标记的蚀刻深度大于该金属层间介质层的厚度。