一种Ag基电触头的制造方法

摘要：

本发明公开了一种Ag基电触头的制造方法，利用激光选区熔化法，首先使用4×10⁵W/m²～10×10⁵W/m²的激光，在触桥表面预制20μm～50μm的Ag₂O过渡层，再在过渡层表面打印出Ag基电触头三维结构。本发明利用了预制过渡层、在成形过程中通入氧气、降低激光能量密度等手段，降低了激光选区熔化的反应温度，避免了低熔点的Ag蒸发造成的损耗，使Ag粉在制备过程中的损耗减少了20～30％，从而降低了生产成本。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201510560254.3

申请日期：2015-09-02

公开/公告号：CN105642889A

公开/公告日：2016-06-08

主分类号：B22F3/105(2006.01)I

申请/专利权人:华中科技大学

发明/设计人:宋波;赵晓;史玉升;魏青松;刘洁;章媛洁;文世峰;张李超

主申请人地址:430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

专利代理机构:华中科技大学专利中心 42201

代理人:朱仁玲

国别省市代码:湖北;42

权利要求：

一种Ag基电触头的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：先在触桥表面铺制20μm～50μm厚的Ag粉，再在含氧气氛中，使用激光选区熔化法将其焊合于触桥表面，使Ag与氧气反应形成过渡层；所述Ag粉的粒径为10μm～45μm，激光选区熔化法中激光的辐照度为4×10⁵W/m²～10×10⁵W/m²；步骤二：先在所述过渡层表面铺制Ag基触头粉末，再在含氧气氛中，使用激光选区熔化法在过渡层表面打印出Ag基电触头三维结构，同时对触桥以200℃～400℃的温度加热；所述含氧气氛中，氧气的体积比大于等于30％。