套刻精度补偿方法及装置

摘要：

本发明提供一种套刻精度补偿方法及装置。所述套刻精度补偿方法包括：测量当层光刻图形与前层光刻图形的第一套刻精度；测量所述前层光刻图形与更前层光刻图形的第二套刻精度；以及基于所述第一套刻精度和所述第二套刻精度计算工艺过程的误差，以用于反馈到曝光机系统中。本发明所提供的套刻精度补偿方法及装置采用多层之间的套刻精度作为反馈，能够改进双镶嵌工艺窗口，针对双镶嵌工艺获得更高的套刻精度。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201510404693.5

申请日期：2015-07-10

公开/公告号：CN106325001A

公开/公告日：2017-01-11

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

发明/设计人:张强;邢滨

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张江路18号

专利代理机构:北京市磐华律师事务所 11336

代理人:董巍%高伟

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种套刻精度补偿方法，其特征在于，包括：测量当层光刻图形与前层光刻图形的第一套刻精度；测量所述前层光刻图形与更前层光刻图形的第二套刻精度；以及基于所述第一套刻精度和所述第二套刻精度计算工艺过程的误差，以用于反馈到曝光机系统中。