一种高压去除晶体表面残留光刻胶的方法

摘要：

本发明公开了一种高压去除晶体表面残留光刻胶的方法，其特征在于，具体包括如下工艺步骤：（1）表面预处理；（2）配备脱胶液；（3）CO₂高压处理；（4）清洗溶胶；（5）烘干。特殊的脱胶液有利于光刻胶的溶解，可有效的去除残留于半导体晶片表面的含锑的盐类以及研磨剂颗粒等污染物残留，减少或消除了由于残留带来的光刻工艺中套刻量测的误差以及残留物对金属锑的腐蚀，提高了器件的可靠性及稳定性。高压CO₂在脱胶液釜内萃取光刻胶的残留胶，极大缩短了残留光刻胶脱除的时间，提高了脱除效率，降低了能源浪费；控制脱胶液釜的操作参数，能够快速的保持脱胶液的溶解环境，使残留光刻胶去除的更为彻底，保证了半导体晶片的良率。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201510285479.2

申请日期：2015-05-29

公开/公告号：CN106292206A

公开/公告日：2017-01-04

主分类号：G03F7/42(2006.01)I

申请/专利权人:青岛蓝农谷农产品研究开发有限公司

发明/设计人:李红伟

主申请人地址:266613 山东省青岛市莱西市南墅镇石墨新材料产业集聚区

国别省市代码:山东;37

权利要求：

一种高压去除晶体表面残留光刻胶的方法，其特征在于，具体包括如下工艺步骤：（1）表面预处理：用含有重量比为2：5由高锰酸钠和CR90研磨剂组成的研磨液对含锑半导体晶片表面进行化学研磨；（2）配备脱胶液：取氰亚铁酸钠和双氧水按照重量比3：5??的比例混合，放置到机械清洗釜中，并向混合溶液中添加0.6??0.8%的吸附剂，然后进行系统密封并使用真空泵排出系统内空气；（3）CO₂高压处理：来自于CO₂气瓶的CO₂通过净化器净化，通过CO₂泵加压，使脱胶液内压力升至40MPa、换热器Ⅱ控温到达并联的脱溶剂釜和调节釜中；（4）清洗溶胶：将研磨后的半导体晶片放入经CO₂高压处理且含脱胶液的脱胶釜中，控制脱胶液的温度为65??75℃，对所述半导体晶片表面进行清洗2??3h；（5）烘干：清洗完毕后，依次关闭脱胶液釜的进出口阀门，打开排空阀排出釜内CO₂，将清洗完的半导体晶片放入烘干机内烘干。