1064纳米波段偏振无关高效率二维反射达曼光栅

摘要：

一种1064纳米波段偏振无关高效率二维反射达曼光栅，其结构为熔融石英基底上依次镀上三氧化二铝膜、金膜、三氧化二铝膜和熔融石英膜，介于金膜与熔融石英膜之间的氧化铝膜为连接层，在熔融石英膜层上刻蚀矩形槽光栅。其光栅周期1917～1927纳米，归一化相位突变点坐标为0.265～0.275，光栅深度为730～740纳米，连接层厚度92～102纳米。本发明达曼光栅在TE或TM偏振光垂直入射时，可以实现中心波长1064纳米波段2×2分束，总衍射效率基本大于85％。该达曼光栅由光学全息记录技术或激光直写装置结合微电子深刻蚀工艺以及镀膜技术加工而成,取材方便,造价小,能大批量生产,具有重要的实用前景。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201510155857.5

申请日期：2015-04-03

公开/公告号：CN104777536A

公开/公告日：2015-07-15

主分类号：G02B5/18(2006.01)I

申请/专利权人:中国科学院上海光学精密机械研究所

发明/设计人:周常河;王津;麻健勇;曹红超;卢炎聪;项长铖;孙竹梅

主申请人地址:201800 上海市嘉定区上海市800－211邮政信箱

专利代理机构:上海新天专利代理有限公司 31213

代理人:张泽纯%张宁展

国别省市代码:上海;31

权利要求：

一种1064纳米波段偏振无关高效率二维反射达曼光栅，其特征在于该二维反射达曼光栅是在熔融石英基底(5)上依次镀上100纳米三氧化二铝膜(4)、128纳米金膜(3)、三氧化二铝膜(2)和熔融石英膜(1)，其中三氧化二铝膜(2)为连接层，在所述的熔融石英膜(1)上刻蚀矩形槽光栅，该二维反射达曼光栅二维的周期相同且光栅周期为1917～1927纳米，达曼光栅相位突变点的坐标为归一化周期的0.265～0.275，光栅深度为730～740纳米，连接层厚度为92～102纳米。