EUV光刻装置及其曝光方法

摘要：

一种EUV光刻装置及其曝光方法。所述装置的掩模台(300)承载多个反射式掩模(400a，400b)，处于曝光位的反射式掩模(400a)在曝光的同时，处于测量位的另一块反射式掩模(400b)可同时进行面型和位置测量。多批次硅片曝光时，能够节约面型和位置测量时间，提高产率。掩模台(300)也可承载多个相同的反射式掩模，通过切换掩模的方式交替使用进行硅片曝光，通过不断切换反射式掩模可避免在高真空环境中散热困难导致反射式掩模在一段时间曝光后的受热形变导致像质受损的情况发生。

专利类型：发明专利

申请/专利号：CN201480078178.6

申请日期：2014-08-26

公开/公告号：CN106255922A

公开/公告日：2016-12-21

主分类号：G03F7/20(2006.01)I

申请/专利权人:上海微电子装备有限公司

发明/设计人:郑乐平;许琦欣;王帆;吴飞

主申请人地址:201203 上海市浦东新区张东路1525号

专利代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人:智云

国别省市代码:上海;31

权利要求：

PCT国内申请，权利要求书已公开。