一种测试光罩

摘要：

本实用新型提供一种测试光罩，用于测试光罩缺陷扫描机的Cr残留缺陷捕捉能力，所述测试光罩包括相移材料图形区域，所述测试光罩中形成有至少一种类型的Cr残留缺陷，每一种类型的Cr残留缺陷至少具有一种尺寸规格；所述Cr残留缺陷形成于所述相移材料图形区域。采用所述测试光罩，可以测试光罩缺陷扫描机的Cr残留缺陷捕捉能力，若测得光罩缺陷扫描机能够捕捉到所有会影响最终成像效果的Cr残留缺陷，就可以省略相移光罩的STARLight检测步骤，在DD/DB检测图形缺陷的同时检测相移光罩的Cr残留缺陷，从而节省光罩生产时间的5~10%，大幅提高相移光罩产能。

专利类型：实用新型

申请/专利号：CN201420443996.9

申请日期：2014-08-07

公开/公告号：CN203982075U

公开/公告日：2014-12-03

主分类号：G03F1/26(2012.01)I

申请/专利权人:中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

发明/设计人:凌文君;王勤勇

主申请人地址:100176 北京市大兴区经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号

专利代理机构:上海光华专利事务所 31219

代理人:李仪萍

国别省市代码:北京;11

权利要求：

一种测试光罩，用于测试光罩缺陷扫描机的Cr残留缺陷捕捉能力，所述测试光罩包括相移材料图形区域，其特征在于：所述测试光罩中形成有至少一种类型的Cr残留缺陷，每一种类型的Cr残留缺陷至少具有一种尺寸规格；所述Cr残留缺陷形成于所述相移材料图形区域。